大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级alt="半导体突发！中国出手：停止采(cǎi)购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/o什么叫垂足和垂点，什么叫垂足四年级ne_20230521204212521.png">

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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